高度な製造において、優れた絶縁性、高い熱伝導率、高温耐性、耐食性を備えたセラミックは、エレクトロニクス、航空宇宙、医療などのハイエンド産業において不可欠な重要な材料となっています。{0}ただし、セラミックの固有の非導電性により、回路接続、パッケージング、相互接続構造への直接の応用は制限されます。この問題を解決するために、セラミックと金属の世界の間の架け橋として機能し、両方の材料の利点の完全な融合を達成する、メタライズドセラミックコンポーネント技術が登場しました。
メタライズドセラミックスとは、物理的または化学的方法によってセラミック基板の表面に緻密で均一かつしっかりと結合した金属膜またはコーティングを形成し、導電性、はんだ付け性、および金属コンポーネントに接続する機能を付与することを指します。この技術は、セラミック基板の優れた特性を保持するだけでなく、金属の導電性と接続機能も付与しており、パワーモジュール、半導体パッケージ、真空デバイス、センサー、高信頼性電子部品などに広く使用されています。-

セラミックメタライゼーションの実現は、金属とセラミック界面間の効果的な結合に依存します。その中心となる原理は、化学反応法と物理蒸着 (PVD) の 2 つのタイプに大別できます。
化学反応法は主に、高温焼結または化学還元反応を通じてセラミック表面に金属化層を生成します。{0}典型的な例は、Mo-Mn 法とその改良プロセスです。この方法では、モリブデン (Mo) とマンガン (Mn) の金属粉末または酸化物を混合してスラリーを形成し、セラミック表面にスクリーン印刷して、還元雰囲気 (水素など) 中で 1400 度~1600 度で焼結します。-このプロセス中、Mn は活性化剤として機能し、セラミック-と金属-の界面での濡れと拡散を促進し、強力な化学結合を形成します。さらに、活性金属ろう付け (AMB) もこのカテゴリに分類されます。 TiやZrなどの活性元素を含むはんだを使用しており、加熱中にセラミック表面と反応して金属特性を持つ遷移層を生成し、セラミックと金属を直接接続します。
物理蒸着 (PVD) は、真空環境でのマグネトロン スパッタリングまたは真空蒸着を使用して、金属原子を蒸発させてセラミック表面に堆積させ、ナノ-からミクロン-サイズの金属膜を形成する方法です。この方法では、低い処理温度 (通常は 300 度未満) で均一かつ高純度の膜が生成されるため、高精度、高度に集積されたマイクロ電子デバイスに適しています。-一般的な蒸着金属にはチタン (Ti)、クロム (Cr)、ニッケル (Ni)、銅 (Cu) が含まれ、Ti と Cr は遷移層として機能し、金属化セラミックの密着性を大幅に高めます。
金属化セラミックスのプロセス フローは複雑かつ正確で、通常は次の主要なステップが含まれます。
基板の前処理: まず、セラミック基板は超音波またはメガソニック洗浄技術を使用して精密洗浄され、表面の油、焼結助剤、粒子状汚染物質が除去され、表面の清浄度が確保されます。続いて、プラズマエッチングや化学処理などの表面活性化処理を実行して、表面粗さと活性を改善し、金属層の接着のための「アンカー」構造を提供します。
メタライゼーション層の準備: アプリケーション要件に基づいて、適切なメタライゼーション方法が選択されます。厚膜プロセスの場合、スクリーン印刷を使用して金属ペーストをセラミック表面にコーティングします。薄膜プロセスの場合、シード層は PVD 技術を使用して堆積されます。-この段階では、後続の高純度アルミナ精密アドバンスト セラミック メタライゼーション部品プロセスの安定性を確保するために、コーティングの厚さ、均一性、組成比を厳密に制御する必要があります。
パターニングと厚み付け: シード層に基づいて、フォトリソグラフィー、マスキング、またはレーザー エッチング技術を使用して回路パターンが定義されます。次に、電気めっきプロセスを使用して銅などの導電性金属を厚くし、電流要件を満たす導電性パスを形成します。代表的な技術としてDPC(直接銅めっき)技術があり、線幅20~30μmの高精度配線が可能です。-
熱処理と焼結: 金属化セラミックは高温で焼結またはアニーリングされ、金属粒子の緻密化を促進し、アルミナ金属化セラミックの結合強度を高めます。{0}一部の高信頼性製品では、界面の安定性をさらに向上させるために、乾燥水素雰囲気中での二次焼結が必要です。
後処理とテスト-: 精密金属化セラミックスを金属化した後、製品が気密性、耐食性、長期信頼性の要件を満たしていることを確認するために、3 レベルの純水で洗浄し、真空乾燥し、接着強度試験、導電性試験、熱サイクル試験を受ける必要があります。{0}}

5G 通信、新エネルギー自動車、スマート グリッド、ハイエンド医療機器の急速な発展に伴い、高出力、高集積、高信頼性の電子パッケージング材料に対する需要が日々増加しています。{{1}{2}}接合用アルミナメタライズドセラミックス技術は、優れた熱管理能力、電気絶縁性、構造安定性を備えており、パワーモジュール、IGBT基板、真空サーキットブレーカー、X-線管、CT検出器などのコアコンポーネントをサポートする重要な技術となっています。
パワー エレクトロニクス用の金属化セラミック シェルであれ、センサー用のアルミナ セラミックの高精度金属化であれ、この技術は材料科学と製造プロセスの深い統合を継続的に推進しています。{0}将来的には、プロセス精度の向上と新しい材料システムの開発により、セラミック メタライゼーションは、より過酷な環境やより高いパフォーマンスのシナリオにおいてかけがえのない役割を果たすようになるでしょう。-
よくある質問
Q:酸化アルミニウムメタライズドセラミックスのメタライズ層の密着性はどのように評価されますか?
A: これは主に、せん断強度と引張試験を通じて定量化されます。 -高信頼性アプリケーションでは通常、20 MPa 以上のせん断強度が必要です。さらに、熱疲労耐性は熱サイクル試験 (例: -55 度から +150 度まで 500 サイクル) によって検証されています。
Q:Mo-Mn アルミナメタライズド工業用セラミックはメタライズ後にはんだ付けできますか?
A:はい。メタライゼーション層(Mo-Mn+Ni または直接 Ni/Au めっきなど)は良好なはんだ付け性を備えているため、錫-鉛または鉛フリーはんだ-を使用してリードまたはハウジングにはんだ付けできます。接着力の低下を防ぐため、はんだ付け温度は 280 度から 300 度の間で 5 秒以内に制御することをお勧めします。
Q:カスタマイズされたアルミナセラミックのバッチの一貫性はどのようにして確保されますか?
A: 重要な管理ポイントには、セラミック基板のバッチ検査、メタライゼーションペーストの粘度検証、焼結炉温度プロファイルの定期的な校正、完成品の 100% 電気テストが含まれます。包括的な検査レポートとトレーサビリティ記録がバッチごとに提供されます。
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高{0}}高精度、高信頼性-の技術的ニーズがある場合電気用メタライズドセラミックスまたはカスタマイズされた開発に興味がある場合は、お問い合わせください。私たちはプロフェッショナルな材料ソリューションとエンジニアリングサポートを提供します。

